器件级静电放电（ESD）测试主要关注半导体器件在制造、封装、运输及焊接过程中的保护，通常在受控的ESD环境下进行，模拟器件在工厂环境中可能遭遇的静电放电事件。
带电器件模型（CDM，Charged Device Model）是常见的静电放电模型之一，模拟器件内部静电电荷向外放电的过程：器件因摩擦或其他因素，使内部累积电荷，而当器件引脚在接近或接触PCB焊盘、测试探针等接地金属导体时，内部累积的电荷会迅速从接触引脚释放。
CDM的放电速度极快，通常上升时间小于400ps，脉冲宽度仅约1ns，测试电压范围通常为125V至2000V。半导体器件的结构和电容决定了其所能累积的静电电荷量和放电持续时间，因此CDM波形具有器件自身的独特性——相同的测试电压等级下，CDM波形也会有较大差别。CDM静电放电所产生静电脉冲可能击穿器件内部结构，或造成热效应损伤，导致器件性能劣化或失效。现代制造环境中机器人操作和自动化装配大大增加了CDM事件发生的概率，CDM测试变得越来越重要。

为评估半导体器件的CDM静电放电敏感性，需依据相关标准进行测试。根据最新标准要求，推荐用场感应（FI ）方法进行测试：将被测器件置于绝缘表面，通过电场感应充电，将弹簧顶针置于引脚上方，并向下接触引脚，此时器件将会通过1Ω的电流传感元件放电。为保证测试波形的重复性，应在室温且相对湿度不高于30%的环境下进行测试。远方FCDM-2C场感应带电器件静电放电测试系统适用于半导体分立器件和芯片测试，采用半自动设计可大大提升测试效率，已广泛应用于众多半导体器件制造厂家和第三方检测机构。

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